盛美半导体设备(上海)有限公司 main business:设计、生产、加工电子专用设备及其零部件,销售公司自产产品,并提供售后技术服务和咨询服务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 310000400423859
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- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(中外合资)
- 2005年05月17日
- HUI WANG
- 21312.495000
- 2005年05月17日 至 2035年05月16日
- 自由贸易试验区市场监管局
- 2005年05月17日
- 中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
- 设计、生产、加工电子专用设备及其零部件,销售公司自产产品,并提供售后技术服务和咨询服务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | ACM-Powerful Solutions for Critical Cleaning | http://www.acmrcsh.com/ |
网站 | ACM-Powerful Solutions for Critical Cleaning | http://www.acmrcsh.com/ |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | TW200926281 | 用于清洗半导体晶片的方法和装置 | 2009.06.16 | 一种用于清洗并调整半导体基材诸如晶片的表面的装置,包括可旋转的夹盘、腔体、用于收集清洗溶液并具有一或 |
2 | TW201616604 | 矽通孔背面露头的方法和装置 | 2016.05.01 | 明公开了一种矽通孔背面露头的方法,包括如下步骤:提供矽衬底,矽衬底内形成有若干矽通孔;旋转矽衬底并向 |
3 | TWI532083 | 用于半导体矽片上深孔均匀金属互连的方法与装置 | 2016.05.01 | 明揭示了一种用于以电解液金属化矽片的设备。该设备包括:一个浸入式腔体,盛放金属盐电解液;至少一个电极 |
4 | TW201614102 | 在基板上均匀金属化的方法和装置 | 2016.04.16 | 明揭露了在基板上均匀金属化的装置和方法。根据本发明的一实施例,在基板上均匀金属化的装置包括:浸入式腔 |
5 | TW201611903 | 带有自动清洗功能的涂胶机及涂胶机的自动清洗方法 | 2016.04.01 | 明揭示了一种带有自动清洗功能的涂胶机以及一种涂胶机的自动清洗方法。在一个实施例中,涂胶机包括能够充满 |
6 | CN101459050A | 电化学或化学沉积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置 | 2009.06.17 | 本发明在金属沉积工艺前通过在晶片的整个前表面上预附加一液体吸附层,使得在电解液和晶片表面在相互接触时 |
7 | CN101457379A | 在半导体工件上电镀金属的电镀装置 | 2009.06.17 | 本发明揭示了在半导体工件上电镀金属的电镀装置,是一种具有多个阳极区域和阴极区域的电镀装置。每个区域中 |
8 | CN101540268A | 用于清洗半导体晶片的方法和装置 | 2009.09.23 | 一种用于清洗并调整半导体基材,诸如晶片的表面的装置,包括可旋转的夹盘,腔体,用于收集清洗溶液并具有一 |
9 | CN101540269A | 清洁半导体晶片的方法和装置 | 2009.09.23 | 一种用于清洁晶体或基材表面的装置,包括一放置于与晶片或基材表面有一间隔的板,并且该板围绕着晶片或基材 |
10 | TWI501307 | 脉冲电化学抛光方法及装置 | 2015.09.21 | |
11 | TWI501297 | 半导体矽片的清洗方法和装置 | 2015.09.21 | |
12 | TWI501302 | 阻挡层的去除方法和装置 | 2015.09.21 | |
13 | TWD168609 | 湿法制程设备 | 2015.06.21 | |
14 | TWI483299 | 半导体矽片的清洗方法和装置 | 2015.05.01 | |
15 | TW201504481 | 适用于电解抛光和/或电镀的真空夹具 | 2015.02.01 | 本发明揭露了一种真空夹具,该真空夹具适用于电解抛光和/或电镀,其包括:承载总成、密封单元、夹具连接头 |
16 | TW201505122 | 真空夹具 | 2015.02.01 | 本发明揭露了一种真空夹具,包括:承载总成、密封单元、夹具连接头及至少一个真空管。承载总成具有凹槽,凹 |
17 | TW201504001 | 无应力电化学抛光用喷嘴 | 2015.02.01 | 本发明揭示了一种无应力电化学抛光用喷嘴,包括:绝缘基座、导电主体及绝缘喷嘴头。绝缘基座开设有贯穿绝缘 |
18 | TW201505086 | 脉冲电化学抛光方法及装置 | 2015.02.01 | 本发明揭示了一种脉冲电化学抛光方法及装置,以提高电化学抛光精度及抛光均匀性。该方法包括:建立占空比表 |
19 | CN101580945A | 电沉积系统 | 2009.11.18 | 具有三维堆叠结构的电沉积系统,包含用于接收晶圆的工厂接口,包含主框架传送机械手和多个置于其上的晶圆固 |
20 | CN101582372A | 用于处理单片半导体工件的溶液制备设备和方法 | 2009.11.18 | 本发明揭示了一种低成本的化学溶液制备设备,可控制使用点的化学新鲜度,温度,以及活性成分产额等工艺参数 |
21 | TW200921769 | 在半导体工件上电镀金属的电镀装置 | 2009.05.16 | 本发明提供了一种具有多个阳极区域和阴极区域的电镀装置。每个区域中的电解液流体场分别由独立的流量控制装 |
22 | TW200918685 | 用于电化学或化学沈积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置 | 2009.05.01 | 本发明在金属沈积工艺前藉由在晶片的整个前表面上预附加一液体吸附层,使得在电解液和晶片表面在相互接触时 |
23 | CN101399160A | 半导体工件热处理方法和装置 | 2009.04.01 | 本发明提供了一种装置和方法,用于两个水平布置的热处理室内迅速并双面地热处理半导体工件,其中每个室包含 |
24 | CN101399161A | 半导体工件热处理方法和装置 | 2009.04.01 | 本发明提供了一种装置和方法,用于在两个垂直布置的热处理室内迅速并双面地热处理半导体工件,其中每个室包 |
25 | TW200910461 | 半导体工作件之热处理方法及装置 | 2009.03.01 | 本发明提供了一种在二个相邻布置的热处理室内迅速并均匀地热处理半导体工作件的装置及方法。二热处理室之间 |
26 | TW200849359 | 清洗半导体晶圆的方法与装置 | 2008.12.16 | 一种用于清洗晶圆或基板表面的装置,包括一放置于与晶圆或基板表面有一间隔的板,并且该板围绕着与晶圆或基 |